Producta
Pulvis Carbidi Silicii Nigri 98% Sic Carbidi Silicii Nigri
Carbidum Silicii Nigrum
Propter raritatem moissanitis naturalis, plerumque carburum silicii syntheticum est. Adhibetur ut abrasivum, et recentius ut semiconductor et simulans adamantum qualitatis gemmae. Simplicissima ratio fabricationis est arenam siliceam et carbonem in fornace resistentiae electricae graphitae Acheson ad altam temperaturam, inter 1600°C (2910°F) et 2500°C (4530°F), miscere. Particulae tenues SiO2 in materia plantarum (e.g., glumae oryzae) in SiC converti possunt calefaciendo superfluum carbonis ex materia organica. Fumus siliceus, qui est productum secundarium productionis metalli silicii et mixturarum ferrosilicii, etiam in SiC converti potest calefaciendo cum graphito ad 1500°C (2730°F).
Magnitudo Carbidi Silicii Nigri Disponibilis
F12-F1200, P12-P2500
0-1mm, 1-3mm, 6/10, 10/18, 200 retiacula, 325 retiacula
Aliae specificationes speciales ad petitionem suppeditari possunt.
Compositio Chemica Carbidi Silicii Nigri (%)
| Arena | Sic | FC | Fe₂O₃ |
| F12-F90 | ≥98.50 | <0.20 | ≤0.60 |
| F100-F150 | ≥98.00 | <0.30 | ≤0.80 |
| F180-F220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1.20 |
| F230-F400 | ≥96.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| F500-F800 | ≥95.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| F1000-F1200 | ≥93.00 | <0.50 | ≤1.20 |
| P12-P90 | ≥98.50 | <0.20 | ≤0.60 |
| P100-P150 | ≥98.00 | <0.30 | ≤0.80 |
| P180-P220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1.20 |
| P230-P500 | ≥96.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| P600-P1500 | ≥95.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| P2000-P2500 | ≥93.00 | <0.50 | ≤1.20 |
Index Physicus Carbidi Silicii Nigri
| Grana granulata | Densitas Massae (g/cm³) | Alta Densitas (g/cm³) | Grana granulata | Densitas Massae (g/cm³) | Alta Densitas (g/cm³) |
| F16 ~ F24 | 1.42~1.50 | ≥1.50 | F100 | 1.36~1.45 | ≥1.45 |
| F30 ~ F40 | 1.42~1.50 | ≥1.50 | F120 | 1.34~1.43 | ≥1.43 |
| F46 ~ F54 | 1.43~1.51 | ≥1.51 | F150 | 1.32~1.41 | ≥1.41 |
| F60 ~ F70 | 1.40~1.48 | ≥1.48 | F180 | 1.31~1.40 | ≥1.40 |
| F80 | 1.38~1.46 | ≥1.46 | F220 | 1.31~1.40 | ≥1.40 |
| F90 | 1.38~1.45 | ≥1.45 |
- Trituratio et Politura: materiam removere, superficies levigare, et optatas superficies adipiscendo
- Abrasiva Obducta: charta abrasiva, cingula abrasiva, et disci
- Industria semiconductorum: Ad segmenta et concisa massae silicii et ad sectiones accuratas efficiendas cum minima iactura materiae et damno superficiali adhibetur.
- Refractaria et Ceramica: fabricando crucibula, supellectilem fornacis, et alias partes altae temperaturae.
- Applicationes Metallurgicae
- Sectio Filorum
- Iactatio abrasiva: purgatio superficierum, corrosio, et praeparatio in industriis ut constructione, fabricatione metallorum, et autocinetica.
- Refinatio Adamantium: formatio, teres, et politura superficierum adamantum ad splendorem et proprietates opticas augendas.
- Usus in fusione: saburratio, praeparatio superficiei, et purgatio fusionum metallicarum.
Inquisitio Tua
Si quas quaestiones habes, nobiscum libere communicare potes.
